La diferencia entre ddr y sdr

En la actualidad, los módulos de memoria más populares son principalmente estos tres tipos: SDR, DDR, RAMBUS. Entre ellos, la memoria RAMBUS utiliza una tecnología de conexión en serie con impedancia controlada. No lo discutiremos más aquí. La tecnología de diseño de memoria resumida en este artículo es para SDRAM (incluidas SDR y DDR). Ahora comparemos brevemente SDR y DDR, ambos se denominan memoria dinámica síncrona y su tecnología central es la misma. Es solo que DDR se ha mejorado en algunas funciones, por lo que DDR a veces se llama SDRAM II. El nombre completo de DDR es Double Data Rate, que es el doble de la velocidad de transferencia de datos, pero su frecuencia de reloj no ha aumentado, pero los flancos ascendentes y descendentes del reloj se pueden usar para leer y escribir datos. Para SDR, los módulos comunes en el mercado son principalmente PC100 / PC133 / PC166, y la memoria DDR correspondiente es DDR200 (PC1600) / DDR266 (PC2100) / DDR333 (PC2700).

Algunas diferencias específicas entre DDR y SDR:
El voltaje y el circuito de interfaz son diferentes. SDR generalmente usa una interfaz LVTTL o SSTL_3.3 de 3V, mientras que DDR usa una interfaz digital de bajo voltaje SSTL_2.5 de 2V y DDRII usa una interfaz SSTL_1.8 de 18V.
Se agrega ZA DLL (Delay Locked Loops) dentro del chip DDR, y los datos se ubican con precisión a través de la puerta de datos DQS (luz estroboscópica de datos).
Z DDR puede usar los flancos ascendentes y descendentes del reloj para leer y escribir datos, y su esencia es utilizar los flancos ascendentes y descendentes de la señal DQS para enviar y recibir datos.
Z DDR tiene una impedancia de entrada más baja que SDR.
Z DDR tiene un voltaje de referencia VREF, el estado de la señal digital está determinado por la diferencia entre el voltaje de la señal y el voltaje de referencia.
El DM de DDR solo es válido durante las operaciones de escritura, mientras que la señal DQM en SDR es válida durante las operaciones de lectura y escritura.
Z DDR utiliza transmisión de señal de reloj diferencial, que puede garantizar mejor la calidad y la sincronización de la señal.
La interfaz es diferente a la placa base. Por ejemplo, para DIMM, SDR tiene 168 pines, mientras que DDR tiene 184 pines. SODIMM y UDIMM también son diferentes.

Debido a las diferencias en ciertas características entre SDR y DDR, consideramos diferentes factores al diseñar estos dos tipos de módulos de memoria. En las siguientes secciones, profundizaremos en los detalles de diseño de estos dos tipos de módulos de memoria. Aunque el mercado actual todavía está dominado por SDRAM y DDR, las principales compañías de módulos de memoria han comenzado a realizar investigaciones sobre DDRII, y JEDEC también ha establecido un Grupo de Trabajo especial para iniciar la formulación de nuevas reglas. Se puede predecir audazmente que DDRII aparecerá en el mercado el próximo año (2003), y para 2004, DDRII comenzará gradualmente a convertirse en el mercado de memoria dominante. Para el conocimiento básico y el diseño de DDRII
La teoría del cálculo se puede encontrar en documentos relacionados.