Los transistores de efecto de campo se diferencian de los transistores bipolares en que operan solo con uno de los electrones o huecos. Según la estructura y el principio, se puede dividir en:
. Tubo de efecto de campo de unión
. Tubo de efecto de campo tipo MOS
1. Unión FET (unión FET)
1) Principio
Como se muestra en la figura, el transistor de efecto de campo de unión de canal N tiene una estructura en la que el semiconductor de tipo N está sujeto por ambos lados por la puerta del semiconductor de tipo P. El área de agotamiento generada cuando se aplica un voltaje inverso a la unión PN se usa para el control de la corriente.
Cuando se aplica un voltaje de CC a ambos extremos de la región del cristal de tipo N, los electrones fluyen desde la fuente al drenaje. El ancho del canal a través del cual pasan los electrones está determinado por la región de tipo P difundida desde ambos lados y el voltaje negativo aplicado a esta región.
Cuando se refuerza el voltaje de la puerta negativa, el área de agotamiento de la unión PN se extiende hacia el canal y se reduce el ancho del canal. Por lo tanto, la corriente de fuente-drenaje puede controlarse mediante el voltaje del electrodo de puerta.
2) Uso
Incluso si el voltaje de la puerta es cero, hay flujo de corriente, por lo que se usa para fuentes de corriente constante o para amplificadores de audio debido al bajo nivel de ruido.
2. Tubo de efecto de campo tipo MOS
1) Principio
Incluso en la estructura (estructura MOS) del metal (M) y el semiconductor (S) intercalando la película de óxido (O), si se aplica un voltaje entre el (M) y el semiconductor (S), se puede producir una capa de agotamiento. generado. Además, cuando se aplica un voltaje más alto, se pueden acumular electrones u huecos debajo de la película de oxígeno para formar una capa de inversión. El MOSFET se utiliza como interruptor.
En el diagrama del principio de funcionamiento, si el voltaje de la puerta es cero, la unión PN desconectará la corriente, de modo que la corriente no fluya entre la fuente y el drenaje. Si se aplica un voltaje positivo a la puerta, los orificios del semiconductor tipo P serán expulsados de la película de óxido, la superficie del semiconductor tipo P debajo de la puerta para formar una capa de agotamiento. Además, si el voltaje de la puerta aumenta nuevamente, los electrones serán atraídos a la superficie para formar una capa de inversión de tipo N más delgada, de modo que el pin de la fuente (tipo N) y el drenaje (tipo N) estén conectados, permitiendo que la corriente fluir .
2) Uso
Debido a su estructura simple, velocidad rápida, accionamiento de puerta simple, fuerte poder destructivo y otras características, y el uso de tecnología de microfabricación, puede mejorar directamente el rendimiento, por lo que se usa ampliamente en dispositivos de alta frecuencia, desde dispositivos básicos LSI hasta dispositivos de energía. (dispositivos de control de potencia) y otros campos.
3. Tubo de utilidad de campo común
1) tubo de efecto de campo MOS
Es decir, el tubo de efecto de campo semiconductor de óxido de metal, la abreviatura en inglés es MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor
Transistor de efecto de campo), que es un tipo de puerta aislada. Su característica principal es que hay una capa aislante de dióxido de silicio entre la puerta de metal y el canal, por lo que tiene una resistencia de entrada muy alta (la más alta hasta 1015Ω). También se divide en tubo de canal N y tubo de canal P, el símbolo se muestra en la Figura 1. Por lo general, el sustrato (sustrato) y la fuente S están conectados entre sí. Según los diferentes modos de conducción, MOSFET se divide en tipo de mejora,
Tipo de agotamiento. El llamado tipo mejorado se refiere a: cuando VGS = 0, el tubo está en un estado apagado, y después de agregar el VGS correcto, la mayoría de los portadores se sienten atraídos por la puerta, lo que "mejora" los portadores en esta área y forma un canal conductor.
El tipo de agotamiento significa que cuando VGS = 0, se forma un canal y cuando se agrega el VGS correcto, la mayoría de los portadores pueden fluir fuera del canal, "agotando" los portadores y apagando el tubo.
Tomando el canal N como ejemplo, se fabrica sobre un sustrato de silicio tipo P con dos regiones de difusión de fuente N + y regiones de difusión de drenaje N + con una alta concentración de dopaje, y luego la fuente S y el drenaje D se extraen respectivamente. El electrodo fuente y el sustrato están conectados internamente, y los dos siempre mantienen la misma electricidad.
Un poco. La dirección frontal en el símbolo de la Figura 1 (a) es desde el exterior hacia la electricidad, lo que significa desde el material de tipo P (sustrato) al canal de tipo N. Cuando el drenaje está conectado al polo positivo de la fuente de alimentación, la fuente está conectada al polo negativo de la fuente de alimentación y VGS = 0, la corriente del canal (es decir, la corriente de drenaje
Stream) ID = 0. Con el aumento gradual de VGS, atraído por el voltaje positivo de la puerta, se inducen portadores minoritarios cargados negativamente entre las dos regiones de difusión, formando un canal de tipo N desde el drenaje hasta la fuente. Cuando VGS es mayor que el tubo de Cuando el voltaje de encendido VTN (generalmente alrededor de + 2V), el tubo del canal N comienza a conducir, formando una ID de corriente de drenaje.
El tubo de efecto de campo MOS es más "chirriante". Esto se debe a que su resistencia de entrada es muy alta y la capacitancia entre la puerta y la fuente es muy pequeña, y es muy susceptible de ser cargada por el campo electromagnético externo o por inducción electrostática, y se puede formar una pequeña cantidad de carga en la capacitancia entre los electrodos.
A un voltaje muy alto (U = Q / C), el tubo se dañará. Por lo tanto, los pines se trenzan juntos en la fábrica o se instalan en una lámina de metal, de modo que el polo G y el polo S tengan el mismo potencial para evitar la acumulación de carga estática. Cuando el tubo no esté en uso, utilice todos. Los cables también deben estar en corto. Tenga mucho cuidado al medir y tome las medidas antiestáticas correspondientes.
2) Método de detección del tubo de efecto de campo MOS
(1). Preparativos Antes de medir, cortocircuite el cuerpo humano a tierra antes de tocar los pines del MOSFET. Lo mejor es conectar un cable a la muñeca para conectar con la tierra, de modo que el cuerpo humano y la tierra mantengan un equipotencial. Separe las clavijas nuevamente y luego retire los cables.
(2). Electrodo de determinación
Ponga el multímetro en la marcha R × 100 y primero determine la cuadrícula. Si la resistencia de un pin y otros pines son infinitos, demuestra que este pin es la rejilla G. Cambie los cables de prueba para volver a medir, el valor de resistencia entre SD debe ser de varios cientos de ohmios a varios miles.
Ah, donde el valor de la resistencia es menor, el cable de prueba negro está conectado al polo D y el cable de prueba rojo está conectado al polo S. Para los productos de la serie 3SK producidos en Japón, el polo S está conectado a la carcasa, por lo que es fácil determinar el polo S.
(3). Verifique la capacidad de amplificación (transconductancia)
Cuelgue el poste G en el aire, conecte el cable de prueba negro al poste D y el cable de prueba rojo al poste S, y luego toque el poste G con su dedo, la aguja debe tener una desviación mayor. El transistor de efecto de campo MOS de doble puerta tiene dos puertas G1 y G2. Para distinguirlo, puedes tocarlo con tus manos.
Postes G1 y G2, el polo G2 es el que tiene la mayor desviación de la manecilla del reloj hacia la izquierda. En la actualidad, algunos tubos MOSFET han agregado diodos de protección entre los polos GS y no es necesario cortocircuitar cada pin.
3) Precauciones para el uso de transistores de efecto de campo MOS.
Los transistores de efecto de campo MOS deben clasificarse cuando se utilizan y no se pueden intercambiar a voluntad. Los transistores de efecto de campo MOS se descomponen fácilmente por la electricidad estática debido a su alta impedancia de entrada (incluidos los circuitos integrados MOS). Preste atención a las siguientes reglas cuando las use:
Los dispositivos MOS generalmente se empaquetan en bolsas de plástico de espuma conductora negra cuando salen de fábrica. No los empaque en una bolsa de plástico usted mismo. También puede usar cables delgados de cobre para conectar los pines o envolverlos en papel de aluminio.
El dispositivo MOS extraído no puede deslizarse sobre la placa de plástico y se utiliza una placa de metal para sujetar el dispositivo que se va a utilizar.
El soldador debe estar bien conectado a tierra.
Antes de soldar, la línea de alimentación de la placa de circuito debe cortocircuitarse con la línea de tierra, y luego el dispositivo MOS debe separarse después de que se complete la soldadura.
La secuencia de soldadura de cada pin del dispositivo MOS es drenaje, fuente y puerta. Al desmontar la máquina, la secuencia se invierte.
Antes de instalar la placa de circuito, use una abrazadera de cable con conexión a tierra para tocar los terminales de la máquina y luego conecte la placa de circuito.
La puerta del transistor de efecto de campo MOS se conecta preferiblemente a un diodo de protección cuando está permitido. Al revisar el circuito, preste atención para verificar si el diodo de protección original está dañado.
4) tubo de efecto de campo VMOS
El tubo de efecto de campo VMOS (VMOSFET) se abrevia como tubo VMOS o tubo de efecto de campo de potencia, y su nombre completo es tubo de efecto de campo MOS con ranura en V. Es un interruptor de encendido de alta eficiencia recientemente desarrollado después de MOSFET
Piezas. No solo hereda la alta impedancia de entrada del tubo de efecto de campo MOS (≥108W), una pequeña corriente de accionamiento (aproximadamente 0.1μA), sino que también tiene un alto voltaje de resistencia (hasta 1200V) y una gran corriente de trabajo.
(1.5A ～ 100A), alta potencia de salida (1 ～ 250W), buena linealidad de transconductancia, velocidad de conmutación rápida y otras características excelentes. Es precisamente porque combina las ventajas de los tubos de electrones y los transistores de potencia en uno, por lo que el voltaje
Se están utilizando ampliamente amplificadores (amplificación de voltaje hasta varios miles de veces), amplificadores de potencia, fuentes de alimentación conmutadas e inversores.
Como todos sabemos, la puerta, la fuente y el drenaje de un transistor de efecto de campo MOS tradicional están en un chip donde la puerta, la fuente y el drenaje están aproximadamente en el mismo plano horizontal, y su corriente de trabajo fluye básicamente en una dirección horizontal. El tubo VMOS es diferente, desde la imagen inferior izquierda puede
Se pueden ver dos características estructurales principales: primero, la puerta de metal adopta una estructura de ranura en V; segundo, tiene conductividad vertical. Dado que el drenaje se extrae de la parte posterior del chip, el ID no fluye horizontalmente a lo largo del chip, sino que está muy dopado con N +
Partiendo de la región (fuente S), fluye hacia la región de deriva de N ligeramente dopada a través del canal P, y finalmente alcanza el drenaje D verticalmente hacia abajo. La dirección de la corriente se muestra mediante la flecha en la figura, porque el área de la sección transversal del flujo aumenta, por lo que puede pasar una gran corriente. Porque en la puerta
Hay una capa aislante de dióxido de silicio entre el polo y el chip, por lo que sigue siendo un transistor de efecto de campo MOS de puerta aislada.
Los principales fabricantes nacionales de transistores de efecto de campo VMOS incluyen 877 Factory, Tianjin Semiconductor Device Fourth Factory, Hangzhou Electron Tube Factory, etc. Los productos típicos incluyen VN401, VN672, VMPT2, etc.
5) Método de detección del tubo de efecto de campo VMOS
(1). Determine la cuadrícula G. Coloque el multímetro en la posición R × 1k para medir la resistencia entre los tres pines. Si se encuentra que la resistencia de un pin y sus dos pines son infinitos, y sigue siendo infinito después de intercambiar los cables de prueba, se prueba que este pin es el polo G, porque está aislado de los otros dos pines.
(2). Determinación de la fuente S y el drenaje D Como se puede ver en la Figura 1, hay una unión PN entre la fuente y el drenaje. Por lo tanto, de acuerdo con la diferencia en la resistencia directa e inversa de la unión PN, se pueden identificar el polo S y el polo D. Utilice el método de la pluma del medidor de intercambio para medir la resistencia dos veces, y el que tiene el valor de resistencia más bajo (generalmente varios miles de ohmios a diez mil ohmios) es la resistencia de avance. En este momento, el cable de prueba negro es el polo S y el rojo está conectado al polo D.
(3). Mida la resistencia de estado activado de la fuente de drenaje RDS (activado) para cortocircuitar el polo GS. Elija el engranaje R × 1 del multímetro. Conecte el cable de prueba negro al polo S y el cable de prueba rojo al polo D. La resistencia debe ser de unos pocos ohmios a más de diez ohmios.
Debido a las diferentes condiciones de prueba, el valor RDS (activado) medido es más alto que el valor típico que se indica en el manual. Por ejemplo, un tubo IRFPC50 VMOS se mide con un archivo R × 500 multímetro tipo 1, RDS
(Encendido) = 3.2 W, mayor que 0.58 W (valor típico).
(4). Verifique la transconductancia. Coloque el multímetro en la posición R × 1k (o R × 100). Conecte el cable de prueba rojo al polo S y el cable de prueba negro al polo D. Sostenga un destornillador para tocar la rejilla. La aguja debe desviarse significativamente. Cuanto mayor sea la deflexión, mayor será la deflexión del tubo. Cuanto mayor sea la transconductancia.
6) Asuntos que requieren atención:
Los tubos VMOS también se dividen en tubos de canal N y tubos de canal P, pero la mayoría de los productos son tubos de canal N. Para los tubos de canal P, la posición de los cables de prueba debe cambiarse durante la medición.
Hay algunos tubos VMOS con diodos de protección entre GS, los elementos 1 y 2 de este método de detección ya no son aplicables.
En la actualidad, también hay un módulo de potencia de tubo VMOS en el mercado, que se utiliza especialmente para variadores y controladores de velocidad de motores de CA. Por ejemplo, el módulo IRFT001 producido por la compañía estadounidense IR tiene tres tubos de canal N y canal P en el interior, formando una estructura de puente trifásica.
Los productos de la serie VNF (canal N) en el mercado son transistores de efecto de campo de potencia de frecuencia ultra alta producidos por Supertex en los Estados Unidos. Su frecuencia de operación más alta es fp = 120MHz, IDSM = 1A, PDM = 30W, transconductancia de baja frecuencia de señal pequeña de fuente común gm = 2000μS. Es adecuado para circuitos de conmutación de alta velocidad y equipos de radiodifusión y comunicación.
Cuando se usa un tubo VMOS, se debe agregar un disipador de calor adecuado. Tomando el VNF306 como ejemplo, la potencia máxima puede alcanzar los 30W después de instalar un radiador de 140 × 140 × 4 (mm).
7) Comparación de tubo de efecto de campo y transistor
El tubo de efecto de campo es el elemento de control de voltaje y el transistor es el elemento de control de corriente. Cuando solo se permite extraer menos corriente de la fuente de señal, se debe utilizar un FET; y cuando el voltaje de la señal es bajo y permite que se extraiga más corriente de la fuente de la señal, se debe usar un transistor.
El transistor de efecto de campo utiliza portadores mayoritarios para conducir la electricidad, por lo que se denomina dispositivo unipolar, mientras que el transistor tiene portadores mayoritarios y portadores minoritarios para conducir la electricidad. Se llama dispositivo bipolar.
La fuente y el drenaje de algunos transistores de efecto de campo se pueden usar indistintamente, y el voltaje de la puerta también puede ser positivo o negativo, que es más flexible que los transistores.
El tubo de efecto de campo puede funcionar con una corriente muy pequeña y un voltaje muy bajo, y su proceso de fabricación puede integrar fácilmente muchos tubos de efecto de campo en un chip de silicio, por lo que el tubo de efecto de campo se ha utilizado en circuitos integrados a gran escala. Amplia gama de aplicaciones.
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¿A qué distancia (largo) de la cubierta del transmisor?
El alcance de transmisión depende de muchos factores. La distancia real se basa en la instalación de la antena de altura, ganancia de antena, utilizando como medio de construcción y otras obstrucciones, la sensibilidad del receptor, la antena del receptor. La instalación de la antena más alta y el uso en el campo, la distancia será mucho más lejos.
Transmisor FM 5W ejemplo, el uso en la ciudad y la ciudad natal:
Tengo un cliente de uso del transmisor FM con antena 5W EE.UU. GP en su ciudad natal, y lo prueba con un coche, es cubrir 10km (6.21mile).
Puedo probar el transmisor de FM con antena GP 5W en mi ciudad natal, que cubren alrededor 2km (1.24mile).
Puedo probar el transmisor de FM con antena 5W médico de cabecera en la ciudad de Guangzhou, que sólo cubren alrededor 300meter (984ft).
A continuación se presentan el intervalo aproximado de diferentes transmisores de FM de potencia. (El rango es de diámetro)
Transmisor FM 0.1W ~ 5W: 100M ~ 1KM
5W ~ 15W FM Ttransmitter: 1KM ~ 3KM
Transmisor FM 15W ~ 80W: 3KM ~ 10KM
Transmisor FM 80W ~ 500W: 10KM ~ 30KM
Transmisor FM 500W ~ 1000W: 30KM ~ 50KM
Transmisor FM 1KW ~ 2KW: 50KM ~ 100KM
Transmisor FM 2KW ~ 5KW: 100KM ~ 150KM
Transmisor FM 5KW ~ 10KW: 150KM ~ 200KM
Cómo ponerse en contacto con nosotros para el transmisor?
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